1、達到低輪廓度與高抗拉強度
為了滿足上述的TCP和COF應用要求，某金屬公司開發的這種“NA—VLP”電解銅箔，有兩方面特別突出的技術創新：①對“粗糙面”進行機械研磨形成的平滑化處理，使它的光澤度比一般電解銅箔的“光澤面”一側還高；②防氧化的處理層組成成分中，提高了有利于耐熱性的Zn含量。
電解銅箔的制法是在圓形陰極輥上通過連續電沉積出銅結晶顆粒而形成箔(稱為“生箔”)。生箔的靠陰極輥表面的一面，是比較平滑的“光澤面”。靠電解液的一側，為箔的“粗糙面”。剛性印制電路板在使用的銅箔中，比較重視它的剝離強度。因此這種銅箔，需要在生箔的“粗糙面”一側，進行很深“錨效果”的表面處理(即粗化處理)，以保持它與樹脂的高粘接強度。但是， 銅箔用在三層型或二層型的TCP和COF載板上，除了需要高的剝離強度
而進行微細的粗化處理外，還要適應高密度配線加工的低輪廓度。為此某金屬公司針對TCP和COF載板所需的開發銅箔，是一種對它的“粗糙面”進行“平滑化處理” 的新型銅箔。這種稱為RTF(reversed treatment foil， 反復處理銅箔)銅箔。它一方面要對它的“光澤面”進行微細的、均勻的粗化處理。另一方面，還要對它的“粗糙面”進行機械研磨的平滑化處理，再進行微細的粗化處理。對銅箔“粗糙面”進行機械研磨加工，以降低原有生箔就存在的“高”粗糙度的問題，在以往電解銅箔表面處理技術上是極少見的。它是銅箔制造技術上的一個新的技術發明。
2、實現新的銅箔性能項目—— “薄膜透明識別性”的要求
電解銅箔在COF應用中遇到的**難題，是銅箔要滿足在COF載板上安裝IC時所需要的“薄膜透明識別性”。在COF載板(FPC)上安裝驅動程序IC時，是在加熱條件下將IC與金屬引線通過Au—Sn共晶焊劑接合。安裝IC的位置，是靠電荷耦合器件(CCD)傳感器來進行識別、確認的。為了使CCD傳感器對IC安裝位置能夠容易地進行識別，要求這種FPC的聚酰亞胺基膜具有高的光透過率。若要達到這一特性，要與薄膜的蝕刻圖形一面的表面粗糙形態相關。由于銅箔與此薄膜表面在制造基材時是通過層壓加工而壓合在一起，薄膜表面粗糙形態，就是銅箔粗糙面(即一般銅箔被粗化處理的一面)的平滑程度的“復制”。因此，若保證二層FPC的PI基膜的光透率高，就需銅箔具有高的“薄膜透明識別性”。
某金屬公司在解決電解銅箔的此新性能項目上，認識到：電解銅箔的粗糙面的凹凸狀態存在，就會使得它得到的薄膜的“復制面”產生光的折射，所得到的結果是“薄膜透明識別性”下降。他們從改進電解銅箔制造工藝入手，使所形成的電解銅箔粗糙面達到均一的“鏡面態”。其光澤度比一般電解銅箔“光澤面”還高(一般電解銅箔的“光澤面”的光澤度為80，而形成鏡面的電解銅箔“粗糙面” 的光澤度可高達300)。
3、高溫處理后剝離強度的提高
上述的銅箔“粗糙面”進行平滑化處理，并形成“鏡面態”，按一般常理，這會嚴重影響FPC的剝離強度特性的。而某金屬公司開發的電解銅箔(NA—VLP)是以表面防氧化處理技術上的創新作為“配合”，以解決剝離強度(特別是高溫處理后的剝離強度)下降的問題，并達到高溫處理后剝離強度比一般低輪廓銅箔還有大幅度的提高。
在COF載板上安裝IC時，載板在受到高溫焊接的熱沖擊下，聚酰亞胺基膜與銅箔間易出現起泡、分層，為了防止此問題的發生，必須提高基膜與銅箔的粘接力。這項性能的改善，是需分別在構成聚酰亞胺基膜樹脂一側，及在銅箔表面處理的一側進行開發。銅箔表面處理方面，某金屬公司在NA—vLP銅箔中的表面防氧化處理層金屬組成上進行了創新，提高了有利于耐熱性的Zn金屬含量的比例。Zn金屬含量的提高幅度， 是以不影響Sn電鍍性為原則的。在大量的試驗中，他們摸索到既可使耐熱性提高，又維持Sn電鍍性的進行表面防氧化處理層Zn金屬含量
很窄的工藝條件。通過這一工藝條件的嚴密控制，達到防氧化處理的**化，是大批量穩定生產這種新型銅箔的關鍵。某金屬公司，運用了這種新的表面防氧化處理技術，使這種電解銅箔可滿足二層型FPC對在高溫處理后的剝離強度要求，并高于壓延銅箔同種的性能。用這種銅箔，在150℃高溫下進行168小時的處理后，它的剝離強度可達到5g／100p,m。